Презентация Полупроводниковый Транзистор' title='Презентация Полупроводниковый Транзистор' />Процессы в биполярном транзисторе. Скачать бесплатно и без регистрации. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. Новая Инструкция По Контролю Стерильности В Бактериологической Лаборатории тут. В транзисторе используются оба типа носителей основные и неосновные, поэтому его называют биполярным. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей основные и неосновные, поэтому его называют биполярным. Биполярный транзистор состоит из трех областей монокристаллического полупроводника с разным типом проводимости, базы и коллектора. Введение Биполярными транзисторами называются полупроводниковые приборы с двумя очень близко расположенными и взаимодействующими pn. Изобретение транзисторов и развитие полупроводниковой электроники. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя. Презентация была опубликована 3 года назад пользователемРуслан Яхримов. Транзисторы. ТРАНЗИСТОРЫ. Оборудование презентация по теме Полупроводники. Электрический ток. Полупроводниковые транзисторы также используются свойства рn. Устройство полевого транзистора Полевой транзистор это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком. Вольт амперная характеристика полупроводникового диода. Содержание полной аерсии презентации Транзистор. В полную версию. 2 Транзистор полупроводниковый прибор с двумя электроннодырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования. Переход, который образуется на границе эмиттер база, называется эмиттерным, а на границе база коллектор коллекторным. В зависимости от типа проводимости крайних слоев различают транзисторы p n р и n р n. Биполярный транзистор состоит из трех областей монокристаллического полупроводника с разным типом проводимости эмиттера, базы и коллектора. Переход, который образуется на границе эмиттер база, называется эмиттерным, а на границе база коллектор коллекторным. В зависимости от типа проводимости крайних слоев различают транзисторы p n р и n р n. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора 1. Режим отсечки оба p n перехода закрыты, при этом через транзистор обычно идт сравнительно небольшой ток 2. Режим насыщения оба p n перехода открыты 3. Активный режим один из p n переходов открыт, а другой закрыт. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причм транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы. Примыкающие к базе области чаще всего делают неодинаковыми. Одну из них изготовляют так, чтобы из не наиболее эффективно происходила инжекция в базу, а другую так, чтобы соответствующий переход наилучшим образом осуществлял экстракцию инжектированных носителей из базы. Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером Э, а соответствующий переход эмиттерным. Область, основным назначением которой является экстракцией носителей из базы коллектор К, а переход коллекторным. По характеру движения носителей тока в базе различают диффузионные и дрейфовые биполярные транзисторы. Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может присутствовать или отсутствовать электрическое поле. Если при отсутствии токов в базе существует электрическое поле, которое способствует движению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору, то транзистор называют дрейфовым, если же поле в базе отсутствует бездрейфовым диффузионным. Рассмотрим р n переход эмиттер база при условии, что длина базы велика. В этом случае при прямом смещении р n перехода из эмиттера в базу инжектируются неосновные носители. Закон распределения инжектированных дырок Рnх по базе описывается следующим уравнением РnxРnoexpвgxp xLp. Распределение инжектированных дырок. Процесс переноса инжектированных носителей через базу диффузионный. Характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения диффузионная длина Lp. Поэтому, если необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного перехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. Это условие W lt Lp, является необходимым для реализации транзисторного эффекта управление током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи. В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Таким образом, ток базы это рекомбинационный ток. Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают в электрическое поле обратно смещенного коллекторного p n перехода и экстрагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре физических процесса инжекция из эмиттера в базу диффузия через базу рекомбинация в базе экстракция из базы в коллектор. Зонная диаграмма биполярного транзистора в равновесном состоянии. Токи в биполярном транзисторе. Для биполярного транзистора p n р типа в активном режиме эмиттерный переход смещн в прямом направлении, и через него происходит инжекция дырок, как неосновных носителей, в базу. База должна иметь достаточно малую толщину W, чтобы инжектированные в базу неосновные носители не успевали прорекомбинировать за время переноса через базу. Коллекторный переход, нормально смещенный в обратном направлении. Рассмотрим компоненты токов в эмиттерном и коллекторном переходах. Для любого p n перехода ток J определяется суммой электронного Jn и дырочного Jp компонент, а они в свою очередь имеют дрейфовую и диффузионную составляющие. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектиров. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектиров. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектированных дырок Iэр будет значительно превышать ток электронов Iэn. Инжектированные в базу дырки в результате диффузии будут перемещаться в коллекторному переходу, и если ширина базы W много меньше диффузионной длины Lp, почти все дырки дойдут до коллектора и электрическим полем коллекторного p n р перехода будут переброшены в р область коллектора. Возникающий вследствие этого коллекторный ток лишь немного меньше тока дырок, инжектированных эмиттером. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектиров. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектированных дырок Iэр будет значительно превышать ток электронов Iэn. Инжектированные в базу дырки в результате диффузии будут перемещаться в коллекторному переходу, и если ширина базы W много меньше диффузионной длины Lp, почти все дырки дойдут до коллектора и электрическим полем коллекторного p n р перехода будут переброшены в р область коллектора. Возникающий вследствие этого коллекторный ток лишь немного меньше тока дырок, инжектированных эмиттером. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектиров. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектиров. Он называется коэффициентом усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Обозначим этот коэффициент значком. Поскольку величина коэффициента передачи. При значениях коэффициента передачи a 0,9. При значениях коэффициента передачи a 0,9. Коэффициент усиления показывает, во сколько раз изменяется ток коллектора Iк при изменении тока базы Iб. I K fU K Iэconst Выходная характеристика зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе эмиттера. I K fU K Iэconst Входная характеристика зависимость тока базы от напряжения на базе при постоянном напряжении на коллекторе. I Б fU Б U K const Входная характеристика зависимость тока базы от напряжения на базе при постоянном напряжении на коллекторе. I Б fU Б U K const На нижнем рисунке показаны ВАХ биполярных транзисторов p n p и n p n в схеме с общим эмиттером. Различным цветом выделены возможные режимы отсечки 1, активный или усилительный 2, режим насыщения 3. На нижнем рисунке показаны ВАХ биполярных транзисторов p n p и n p n в схеме с общим эмиттером. Различным цветом выделены возможные режимы отсечки 1, активный или усилительный 2, режим насыщения 3. I K fU K I Б const Выходная характеристика зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе эмиттера. I K fU K I Б const Входная характеристика зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе. I Э fU Э U K const Входная характеристика зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе.